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MB83512-15

更新时间: 2024-02-08 09:21:51
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富士通 - FUJITSU /
页数 文件大小 规格书
4页 136K
描述
MOS MEMORIES

MB83512-15 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.78
最长访问时间:150 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
端子数量:28字数:65536 words
字数代码:64000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:MASK ROMs
最大压摆率:0.04 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MB83512-15 数据手册

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