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MB82DP04183C-65LWFKT

更新时间： 2024-09-18 03:04:15

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富士通 - FUJITSU		手机
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33页	291K
描述
64M Bit (4 M word 】 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory

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MB82DP04183C-65LWFKT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIE, WAFER	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	65 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	X-XUUC-N
长度：	11 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	71
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装等效代码：	WAFER
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	UNCASED CHIP
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.1 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.6 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-11431-3E

MEMORY Mobile FCRAM^TM

CMOS

64M Bit (4 M word × 16 bit)

Mobile Phone Application Specific Memory

MB82DP04183C^-65L

■ DESCRIPTION

The FUJITSU MB82DP04183C is a CMOS Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM*) with asynchronous

Static Random Access Memory (SRAM) interface containing 67,108,864 storages accessible in a 16-bit format.

MB82DP04183C is utilized using a FUJITSU advanced FCRAM core technology and improved integration in

comparison to regular SRAM.

This MB82DP04183C is suited for mobile applications such as Cellular Handset and PDA.

*: FCRAM is a trademark of Fujitsu Limited, Japan.

■ PRODUCT LINEUP

Parameter

Access time (Max) (t^CE, t^AA)

MB82DP04183C-65L

65 ns

40 mA

90 µA

10 µA

Active current (Max) (I^DDA1)

Standby current (Max) (I^DDS1)

Power down current (Max) (I^DDPS)

■ FEATURES

• Asynchronous SRAM Interface

• Fast Access Cycle Time : t^AA= t^CE= 65 ns Max

• 8 words Page Access Capability : t^PAA= 20 ns Max

• Low Voltage Operating Condition : V^DD= +2.6 V to +3.1 V

• Wide Operating Temperature : T^A= -30 °C to +85 °C

• Byte Control by LB and UB

• Low Power Consumption : I^DDA1= 40 mA Max

I^DDS1= 90 µA Max ( T^A= +40 °C)

• Various Power Down mode : Sleep

8M-bit Partial

16M-bit Partial

• Shipping Form : Wafer/Chip

12 3 4 5 6 7...33

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB82DP04183D-65L	FUJITSU	获取价格	Pseudo Static RAM, 4MX16, 65ns, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71
MB82DP04184E-65L	FUJITSU	获取价格	64M Bit (4 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl
MB82DP04184E-65LTBG	FUJITSU	获取价格	64M Bit (4 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl
MB82DPS02183B-80	FUJITSU	获取价格	DRAM
MB82DPS02183B-85L	FUJITSU	获取价格	DRAM
MB82DPS02183B-85LPBN	FUJITSU	获取价格	Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48
MB82DPS02183B-85PBN	FUJITSU	获取价格	Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48
MB82DS01181E	FUJITSU	获取价格	Mobile Phone Application Specific Memory
MB82DS01181E-70L	FUJITSU	获取价格	DRAM
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