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MB82DP02183C-65LPBT

更新时间： 2024-09-18 04:16:47

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		存储内存集成电路静态存储器手机
页数	文件大小	规格书
32页	286K
描述
32M Bit (2 M word 】 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory

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MB82DP02183C-65LPBT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TFBGA, BGA71,8X12,32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	65 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B71	JESD-609代码：	e0
长度：	11 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	71
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	2MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA71,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

MB82DP02183C-65LPBT 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-11422-3E

MEMORY Mobile FCRAM^TM

CMOS

32M Bit (2 M word × 16 bit)

Mobile Phone Application Specific Memory

MB82DP02183C^-65L

CMOS 2,097,152-WORD x 16 BIT

Fast Cycle Random Access Memory

with Low Power SRAM Interface

■ DESCRIPTION

The Fujitsu MB82DP02183C is a CMOS Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM*) with asynchronous

Static Random Access Memory (SRAM) interface containing 33,554,432 storages accessible in a 16-bit format.

MB82DP02183C is utilized using a FUJITSU advanced FCRAM core technology and improved integration in

comparison to regular SRAM. This MB82DP02183C is suited for mobile applications such as Cellular Handset

and PDA.

*: FCRAM is a trademark of Fujitsu Limited, Japan

■ FEATURES

• Asynchronous SRAM Interface

• Fast Access Cycle Time : t^AA= t^CE= 65 ns Max

• 8 words Page Access Capability : t^PAA= 20 ns Max

• Low Voltage Operating Condition : V^DD= +2.6 V to +3.5 V

• Wide Operating Temperature : T^A= -30 °C to +85 °C

• Byte Control by LB and UB

• Low Power Consumption : I^DDA1= 30 mA Max

I^DDS1= 80 µA Max

• Various Power Down mode : Sleep

4M-bit Partial

8M-bit Partial

• Shipping Form : Wafer/Chip, 71-ball plastic FBGA package

12 3 4 5 6 7...32

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与MB82DP02183C-65LPBT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB82DP02183C-65LWFKT	FUJITSU	获取价格	Pseudo Static RAM, 2MX16, 65ns, CMOS, WAFER
MB82DP02183C-65LWT	FUJITSU	获取价格	32M Bit (2 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl
MB82DP02183D	FUJITSU	获取价格	32M Bit (2 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl
MB82DP02183D-65L	FUJITSU	获取价格	Pseudo Static RAM, 2MX18, 65ns, CMOS, PBGA71, PLASTIC, FBGA-71
MB82DP02183D-65LWT	FUJITSU	获取价格	32M Bit (2 M word 】 16 bit) Mobile Phone Appl
MB82DP02183E-65L	FUJITSU	获取价格	32 Mbit Mobile FCRAM 3.0 V, Page Mode
MB82DP02183E-65LTBG	FUJITSU	获取价格	Pseudo Static RAM, 2MX16, 65ns, CMOS, PBGA71, 7 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PL
MB82DP02183F	FUJITSU	获取价格	MEMORY Mobile FCRAM CMOS 32 M Bit (2 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Me
MB82DP02183F-65L	FUJITSU	获取价格	MEMORY Mobile FCRAM CMOS 32 M Bit (2 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Me
MB82DP02183F-65LTBG	FUJITSU	获取价格	MEMORY Mobile FCRAM CMOS 32 M Bit (2 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Me

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