5秒后页面跳转
MB8299-35PSK PDF预览

MB8299-35PSK

更新时间: 2024-09-17 21:02:55
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 220K
描述
32K X 9 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP32, 0.300 INCH, SKINNY, PLASTIC, DIP-32

MB8299-35PSK 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.79
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T32
长度:39.98 mm内存密度:294912 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:9
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX9可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.25 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

MB8299-35PSK 数据手册

 浏览型号MB8299-35PSK的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MB8299-35PSK的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MB8299-35PSK的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MB8299-35PSK的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MB8299-35PSK的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MB8299-35PSK的Datasheet PDF文件第7页 

与MB8299-35PSK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB82B001-25PJ FUJITSU

获取价格

Standard SRAM, 1MX1, 25ns, PDSO28,
MB82B001-35PJ FUJITSU

获取价格

Standard SRAM, 1MX1, 35ns, PDSO28
MB82B005-35PJ FUJITSU

获取价格

Standard SRAM, 256KX4, 35ns, PDSO28
MB82B006-25PJ FUJITSU

获取价格

Standard SRAM, 256KX4, 25ns, PDSO32
MB82B006-35PJ FUJITSU

获取价格

Standard SRAM, 256KX4, 35ns, PDSO32
MB82B008-25PJ FUJITSU

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 25ns, PDSO32
MB82B009-25PJ FUJITSU

获取价格

Standard SRAM, 128KX9, 25ns, PDSO36
MB82B201-35PJ FUJITSU

获取价格

Standard SRAM, 1MX4, 35ns, BICMOS, PDSO32
MB82B206-25PJ FUJITSU

获取价格

Standard SRAM, 1MX4, 25ns, BICMOS, PDSO36
MB82B206-35PJ FUJITSU

获取价格

Standard SRAM, 1MX4, 35ns, BICMOS, PDSO36