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MB81C81A-35CV

更新时间: 2024-02-26 15:53:23
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 364K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC24

MB81C81A-35CV 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:DIP, DIP24,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:35 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDIP-T24JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:24
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.015 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MB81C81A-35CV 数据手册

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