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MB6S

更新时间： 2024-11-03 22:46:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
3页 143K
描述
0.5 Ampere Glass Passivated Bridge Rectifiers

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MB6S 数据手册

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MB1S - MB8S  
4
3
1
2
:
:
~
~
0.106(2.7)  
0.09(2.3)  
0.118(3.0)  
MAX  
3
4
Features  
:
:
+
––  
+
0.008(0.2)  
––  
• Low leakage  
~
~
0.275(7)MAX  
1
2
0.067(1.7)  
0.057(1.3)  
• Surge overload rating:  
35 amperes peak.  
0.165(4.2)  
0.150(3.8)  
0.067(1.7)  
0.057(1.3)  
C0.02(0.5)  
0.051(1.3)  
0.035(0.9)  
0.031(0.8)  
• Ideal for printed circuit board.  
SOIC-4  
Polarity symbols molded  
or marking on body  
0.0191(0.5)  
0.106(2.7)  
0.014(0.35)  
0.006(0.15)  
0.09(2.3)  
0.193(4.9)  
0.177(4.5)  
0.043(1.1)  
0.027(0.7)  
Dimensions are in:  
inches (mm)  
0.5 Ampere Glass Passivated Bridge Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
@ TA = 50°C  
0.5  
A
Peak Forward Surge Current  
if(surge)  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg  
35  
A
PD  
1.4  
11  
85  
W
mW/°C  
°C/W  
RqJA  
RqJL  
Tstg  
TJ  
Thermal Resistance, Junction to Lead,** per leg  
Storage Temperature Range  
20  
°C/W  
°C  
-55 to +150  
-55 to +150  
Operating Junction Temperature  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
**Device mounted on PCB with 0.5-0.5" (13x13 mm) lead length.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
1S  
100  
70  
2S  
4S  
6S  
8S  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
V
V
V
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
100  
DC Reverse Voltage  
Maximum Reverse Leakage,  
per leg @ rated VR TA = 25°C  
TA = 125°C  
Maximum Forward Voltage Drop,  
(Rated VR)  
5.0  
0.5  
mA  
mA  
per bridge  
@ 0.5 A  
t < 8.3 ms  
1.0  
5.0  
V
I2t rating for fusing  
A2t  
Typical Junction Capacitance, per leg  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
13  
pF  
ã 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
MB1S-MB8S, Rev.  
A
123

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MB6S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MB6S-E3/80 VISHAY

类似代替

 Diode Rectifier Bridge Single 600V 0.8A 4-Pin TO-269AA T/R
HD06-T DIODES

功能相似

 0.8A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

与MB6S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB6S(0.8A) UMW

获取价格

 		正向压降（Vf）:1V @ 500mA;直流反向耐压（Vr）:600V;平均整流电流（Io
MB6S/30 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 600V V(RRM), Silicon, TO-269AA, PLASTIC, MBS, 4 PIN
MB6S/30-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 0.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA, PLASTIC, MBS, 4 PIN, Bridge
MB6S/80 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 0.5A, 600V V(RRM),
MB6S/80-E3 VISHAY

获取价格

 		BRIDGE RECTIFIER,1-PHASE FULL-WAVE,600V V(RRM),SO
MB6S_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 600V V(RRM), Silicon, SOIC-4
MB6SA GOOD-ARK

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 		Bridge Rectifier Diode,
MB6SA YANGJIE

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 		MBS
MB6S-B MCC

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 		暂无描述
MB6SE3 VISHAY

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 		DIODE 0.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA, LEAD FREE, MINIATURE, PLAST

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