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MB6S

更新时间： 2024-02-01 13:51:46

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2页	194K
描述
MB6S SMD 0.5A 600V

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MB6S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.57	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	35 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

MB6S 数据手册

MB2S - MB10S

D A Y A

^-TDD^-

Single Phase 0.8 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

MBS

.193(4.90)

.177(4.50)

.033(0.84)

.022(0.56)

Features

.157(4.00)

.272(6.9)

.142(3.60)

MAX

ꢀ

UL Recognized File # E-96005

Ideal for printed circuit board

Reliable low cost construction utilizing molded

plastic technique

.102(2.60)

.087(2.20)

ꢀ

High surge current capability

.106(2.70)

.053(1.53)

.037(0.95)

.014(0.35

.006(0.15

High temperature soldering guaranteed:

.090(2.30)

260 C / 10 seconds at 5 lbs., (2.3 kg )

tension

ꢀ

Small size, simple installation

Leads solderable per MIL-STD-202

Method 208

.008(0.20) .114(2.9)

MAX

.043(1.10) .083(2.12)

.028(0.70) .043(1.10)

MAX

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Symbol MB2S MB4S MB6S MB8S MB10S

Type Number

Units

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC Blocking Voltage

1000

Maximum Average Forward Rectified Current

On glass-epoxy P.C.B.

I_(AV)

0.5

0.8

On aluminum substrate

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single

Half Sine-wave Superimposed on Rated Load

(JEDEC method )

I_FSM

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@ 0.4A

V_F

1.0

5.0

Maximum DC Reverse Current @ T_A=25 C

I_R

at Rated DC Blocking Voltage @ T_A=125 C

100

Typical Junction Capacitance Per Leg

Typical Thermal Resistance Per Leg

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

C/W

θJA

T_J

-55 to +150

T_STG

Note: 1. Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 Volts D.C.

- 646 -

Factory Address: Taiguan Industrial zone, Yanjinyu Dongjin Rode No.1, XinXiang, HeNan, China

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与MB6S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MB6S/30	VISHAY	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 600V V(RRM), Silicon, TO-269AA, PLASTIC, MBS, 4 PIN	获取价格
MB6S/30-E3	VISHAY	DIODE 0.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA, PLASTIC, MBS, 4 PIN, Bridge	获取价格
MB6S/80	VISHAY	Bridge Rectifier Diode, 0.5A, 600V V(RRM),	获取价格
MB6S/80-E3	VISHAY	BRIDGE RECTIFIER,1-PHASE FULL-WAVE,600V V(RRM),SO	获取价格
MB6S_NL	FAIRCHILD	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 600V V(RRM), Silicon, SOIC-4	获取价格
MB6SA	GOOD-ARK	Bridge Rectifier Diode,	获取价格