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MB2S_NL

更新时间： 2024-02-24 15:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 164K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 200V V(RRM), Silicon, SOIC-4

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MB2S_NL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOD
包装说明：R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.09
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：200 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：35 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：1.4 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MB2S_NL 数据手册

 浏览型号MB2S_NL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MB2S_NL的Datasheet PDF文件第3页 
May 2009  
MB1S - MB8S  
Bridge Rectifiers  
Features  
• Low leakage  
• Surge overload rating : 35 amperes peak.  
• Ideal for printed circuit board.  
• UL certified, UL #E111753 and E326243.  
SOIC-4  
Polarity symbols molded  
or marking on body  
Absolute Maximum Ratings * T = 25°C unless otherwise noted  
A
Value  
4S  
Symbol  
Parameter  
Units  
1S  
100  
70  
2S  
200  
140  
200  
6S  
600  
420  
600  
8S  
800  
560  
800  
V
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
400  
280  
400  
0.5  
V
V
V
A
RRM  
V
RMS  
V
DC Reverse Voltage (Rated V )  
R
100  
R
I
Average Rectified Forward Current @ T = 50°C  
A
F(AV)  
I
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3 ms Single Half-Sine-Wave  
FSM  
35  
A
T
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
STG  
T
Operating Junction Temperature  
J
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
1.4  
Units  
W
P
Power Dissipation  
D
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient,* per leg  
Thermal Resistance, Junction to Lead,* per leg  
85  
°C/W  
°C/W  
θJA  
R
20  
θJL  
* Device mounted on PCB with 0.5-0.5" (13x13 mm) lead length.  
Electrical Characteristics T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Forward Voltage, per bridge @ 0.5 A  
1.0  
V
F
I
Reverse Current, per leg @ Rated V  
T = 25°C  
A
T = 125°C  
5.0  
0.5  
µA  
mA  
R
R
A
2
2
I t rating for fusing  
t < 8.3 ms  
5.0  
13  
A s  
C
Total Capacitance, per leg V = 4.0V, f = 1.0MHz  
R
pF  
T
© 2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
MB1S - MB8S Rev. D1  
www.fairchildsemi.com  
1
123

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与MB2S_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB2-S-30-420-1-A21-B-C Carling Technologies

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 		Magnetic Circuit Breaker,
MB2SA YANGJIE

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 		MBS
MB2S-BP MCC

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, MBS-1, 4 PIN
MB2SE3 VISHAY

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 		DIODE 0.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA, LEAD FREE, MINIATURE, PLAST
MB2S-E3 VISHAY

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 		DIODE 0.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA, LEAD FREE, MINIATURE, PLAST
MB2S-E3/45 VISHAY

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 		Single Phase 0.8 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers Voltage Range 200 to 1000 Volts
MB2ST GOOD-ARK

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