MB2M-E3/45

更新时间： 2024-01-18 00:16:16

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威世 - VISHAY		整流二极管桥式整流二极管光电二极管
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Miniature Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers

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MB2M-E3/45 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDIP-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.38
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	200 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDIP-T4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	35 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	Base Number Matches：	1

MB2M-E3/45 数据手册

MB2M, MB4M & MB6M

Vishay General Semiconductor

Miniature Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers

FEATURES

• UL recognition, file number E54214

• Ideal for printed circuit boards

• Applicable for automative insertion

• High surge current capability

• Recommended for non-automotive applications

• Solder dip 260 °C, 40 s

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Case Style MBM

TYPICAL APPLICATIONS

General purpose use in ac-to-dc bridge full wave

rectification for power supply, lighting ballaster, battery

charger, home appliances, office equipment, and

telecommunication applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

0.5 A

MECHANICAL DATA

Case: MBM

V_RRM

I_FSM

I_R

200 V, 400 V, 600 V

35 A

5 µA

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

V_F

1.0 V

150 °C

T_Jmax.

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test

Polarity: As marked on body

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

MB2M

MB4M

MB6M

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

200

140

200

400

280

400

600

420

600

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward output

rectified current (Fig. 1)

on glass-epoxy P.C.B.

on aluminum substrate

0.5 ⁽¹⁾

0.8 ⁽²⁾

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Rating for fusing (t < 8.3 ms)

I²t

5.0

A²s

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

Notes:

(1) On glass epoxy P.C.B. mounted on 0.05 x 0.05" (1.3 x 1.3 mm) pads

(2) On aluminum substrate P.C.B. with an area of 0.8" x 0.8" (20 x 20 mm) mounted on 0.05 x 0.05" (1.3 x 1.3 mm) solder pad

Document Number: 88660

Revision: 01-Feb-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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