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MB1S-B

更新时间： 2024-11-09 19:49:11

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
3页	233K
描述
Rectifier Diode,

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MB1S-B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.92	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

MB1S-B 数据手册

M C C

MB05S

THRU

MB10S

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Features

0.5 Amp Single Phase

Glass Passivated

Bridge Rectifier

•

Glass Passivated Diode Construction

High Surge Overload Rating:35A Peak

Saves Space On Printed Circuit Board

•

High Temperature Soldering Guaranteed:260 C/10 Second

UL Recognized File # E165989

50 to 1000 Volts

Mechanical Data

•

Case Material:Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

MBS -1

•

Teminals: Plated leads Solderable per MIL-STD-750,Method 2026

Moisture Sensitiviy:Level 1 per J-STD-020C

MCC

Part

Number

Maximum

Recurrent

Marking Peak Reverse

Voltage

Maximum

RMS

Voltage

Maximum

Blocking

Voltage

50V

∼

Device

MB05S

MB1S

MB2S

MB4S

MB6S

MB8S

MB10S

MB05S

MB1S

MB2S

MB4S

MB6S

MB8S

MB10S

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

100V

200V

140V

280V

420V

480V

700V

400V

600V

Notch in case

800V

1000V

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

0.5 A⁽¹⁾

0.8 A⁽²⁾

35A

See Fig.1

Average Forward

Current

I_F(AV)

Peak Forward Surge

Current

Maximum

I_FSM

8.3ms, half sine

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ

ꢂꢂ

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

1.0V

I_FM= 0.4A;

T_A= 25^OC

ꢇ ꢇ ꢇ ꢇ ꢁꢄꢈ

ꢉꢃꢅ

ꢀꢁꢂ

ꢊ

ꢂꢁꢄ

.252

ꢎꢏꢐꢑ

ꢂꢊꢋ

.275

ꢎꢒꢏ6

ꢂꢁꢄ

6.40

ꢓꢎꢔꢒ

ꢂꢊꢋ

7.00

2.70

ꢄꢆꢌꢃ

ꢍ

I_R

T_A= 25

5 A

100 A

ꢃ

ꢕ

.150

.179

.019

.090

.004

.027

.058

.195

.165

.195

.031

.106

.008

.043

.062

.205

3.80

4.55

0.50

2.30

0.10

0.70

1.47

4.95

4.20

4.95

0.80

2.70

0.20

1.10

1.57

5.21

T_A= 125

85 /W⁽¹⁾

70 /W⁽²⁾

20 /W⁽¹⁾

13pF

Typical Thermal

Resistance

per leg

ꢖ

ꢉ

ꢗ

ꢘ

Typical Junction

Capacitance

C_J

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

t<8.30ms

Rating For Fusing

Operating Junction

and Storage

I²t

T_J

5.0A²s

-55to+150

Mounting Pad Layout

0.023 MIN.

(0.58 MIN.)

T_STG

Temperature Range

(1) On glass epoxy P.C.B. mounted on 0.05 x 0.05”(1.3 x 1.3mm)pads

(2) On aluminum substrate P.C.B. with an area of 0.8” x 0.8”(20 x 20mm) mounted

on 0.05 x 0.05”(1.3x 1.3mm) solder pad

0.272 MAX.

(6.91 MAX.)

0.030 MIN.

(0.76 MIN.)

0.105 (2.67)

0.095 (2.41)

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: 10

2007/07/26

12 3

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与MB1S-B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB1S-BP	MCC	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, MBS-1, 4 PIN
MB1S-TP	MCC	获取价格	0.5Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
MB1S-TP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
MB1SU THRU	UTC	获取价格	bridge rectifier
MB1T	GREATECS	获取价格	SMT Multi-Direction Switches
MB1-T-34-425-1-A34-B-C	Carling Technologies	获取价格	Magnetic Circuit Breaker,
MB2	GREATECS	获取价格	Push & Lever Multifunction Switches
MB-2	ETC	获取价格	Fits SOT-86 and similar 4-pin
MB20	ETC	获取价格	Micro Power Resistors
MB200	MICROSEMI	获取价格	RECTIFIERS

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