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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.22 |
| 放大器类型： | BUFFER | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.005 µA |
| 标称带宽 (3dB)： | 140 MHz | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.0005 µA |
| 最大输入失调电压： | 10000 µV | JESD-30 代码： | O-MBCY-W12 |
| JESD-609代码： | e0 | 负供电电压上限： | -20 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 12 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装代码： | QIP | 封装等效代码： | QUAD12,.4SQ |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | +-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小摆率： | 1000 V/us |
| 标称压摆率： | 1500 V/us | 子类别： | Buffer Amplifier |
| 最大压摆率： | 22 mA | 供电电压上限： | 20 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| EL2005G/883B | ETC | Analog Buffer/Voltage Follower |
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| EL2006 | ELANTEC | High Gain Fast FET Input Op Amp |
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| EL2006ACG | ELANTEC | High Gain Fast FET Input Op Amp |
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| EL2006ACG/E+ | ETC | Voltage-Feedback Operational Amplifier |
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| EL2006AG | ELANTEC | High Gain Fast FET Input Op Amp |
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| EL2006AG | RENESAS | OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 500MHz BAND WIDTH, MBCY12 |
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