是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SO28(UNSPEC) | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.26 |
其他特性: | 5 RECEIVERS ACTIVE UNDER SHUTDOWN; EXTERNAL CHARGE PUMP; PROGRAMMABLE DTE/DCE | 差分输出: | NO |
驱动器位数: | 3 | 输入特性: | SCHMITT TRIGGER |
接口集成电路类型: | LINE TRANSCEIVER | 接口标准: | EIA-232-E; V.28 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.9 mm | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最小输出摆幅: | 5 V | 输出特性: | 3-STATE |
最大输出低电流: | 0.0032 A | 输出极性: | INVERTED |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SO28(UNSPEC) | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大接收延迟: | 1500 ns | 接收器位数: | 5 |
座面最大高度: | 2.65 mm | 子类别: | Line Driver or Receivers |
最大压摆率: | 20 mA | 最大供电电压: | 5.5 V |
最小供电电压: | 4.5 V | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
最大传输延迟: | 3500 ns | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MAX2150 | MAXIM |
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Wideband I/Q Modulator with Sigma-Delta Fractional-N Synthesizer | |
MAX2150 | ADI |
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宽带I/Q调制器,Σ-Δ分数N分频合成器 | |
MAX2150_06 | MAXIM |
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Wideband I/Q Modulator with Sigma-Delta Fractional-N Synthesizer | |
MAX2150_1 | MAXIM |
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Evaluation Kit | |
MAX2150ETH | MAXIM |
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RF and Baseband Circuit, 5 X 5 MM, 0.90 MM HEIGHT, QFN-28 | |
MAX2150ETH+ | MAXIM |
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暂无描述 | |
MAX2150ETI | MAXIM |
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Wideband I/Q Modulator with Sigma-Delta Fractional-N Synthesizer | |
MAX2150ETI+ | MAXIM |
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Wideband I/Q Modulator with Sigma-Delta Fractional-N Synthesizer | |
MAX2150ETI-T | MAXIM |
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RF and Baseband Circuit, 5 X 5 MM, 0.90 MM HEIGHT, QFN-28 | |
MAX2150EVKIT | MAXIM |
获取价格 |
Evaluation Kit for the MAX2150 |