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MASW2000

更新时间： 2024-11-25 14:54:51

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MACOM		分离技术隔离技术射频微波光电二极管
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2页	109K
描述
GaAs

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MASW2000 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	DIE OR CHIP
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.18
1dB压缩点：	32 dBm	其他特性：	HIGH ISOLATION
特性阻抗：	50 Ω	构造：	MODULE
最大输入功率 (CW)：	34 dBm	最大插入损耗：	1 dB
最小隔离度：	24 dB	功能数量：	1
准时：	0.027 µs	最大工作频率：	3000 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装等效代码：	DIE OR CHIP
端口终止：	ABSORP/REFLECTIVE	电源：	-5/-8 V
射频/微波设备类型：	SPDT	子类别：	RF/Microwave Switches
技术：	GAAS	最大电压驻波比：	1.4
Base Number Matches：	1

MASW2000 数据手册

GaAs SPDT Switch

DC - 3 GHz

MASW2000

V 2.00

Features

●

Low Insertion Loss, 0.5 dB Typical @ 2 GHz

●

Fast Switching Speed, 22 ns Typical

Reflective/Absorptive Configuration

●

Ultra Low DC Power Consumption

●

Guaranteed Specifications** (-55°C to +85°C)

Frequency Range

DC - 3.0 GHz

Typical Performance @ +25°C***

Insertion Loss

DC–0.5 GHz

DC–1.0 GHz

DC–2.0 GHz

DC–3.0 GHz

0.5 dB Max

0.6 dB Max

0.8 dB Max

1.0 dB Max

VSWR

Relective

DC–0.5 GHz

DC–1.0 GHz

DC–2.0 GHz

DC–3.0 GHz

DC–2.0 GHz

DC–3.0 GHz

1.20:1 Max

1.40:1 Max

1.20:1 Max

1.40:1 Max

àà

Absorptive

Isolation

DC–0.5 GHz

DC–1.0 GHz

DC–2.0 GHz

DC–3.0 GHz

43 dB Min

35 dB Min

27 dB Min

24 dB Min

Operating Characteristics

Impedance

50 WNominal

Switching Characteristics

RISE, FALL (10/90% or 90/10% RF)

22 ns Typ

27 ns Typ

25 mV Typ

ON, OFF (50% CTL to 90/10% RF)

Transients (In-Band)

Input Power for 1dB Compression

Control Voltages (Vdc)

0/-5

+24 dBm

+26 dBm

0/-8

+26 dBm Typ

+32 dBm Typ

0.05 GHz

0.5–3.0 GHz

Intermodulation Intercept Point

(for two-tone input power up to +5 dBm)

Intercept Points

0.05 GHz

+63

+80

+43 dBm Typ

+53 dBm Typ

0.5–3.0 GHz

Control Voltage (Complementary Logic)

Low

0 to -0.2 V @ 5 uA Max

Schematic

-5 V @ 60 uA Typ to -8 V @500 uA Max

Die Size

0.056" x 0.056" x 0.010"

1.40mm x 1.40mm x 0.25mm)

** All specifications apply with 50 Wimpedance connected to all RF ports, 0 and 0

and -5 Vdc control voltages.

*** Loss changes 0.0025 dB/°C (From -55°C to +85°C)

àà

For relective operation RL1/RL2 are unconnected.

For absorptive operation RL1 connects to RF1 and RL2 connects to RF2.

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