5秒后页面跳转
MAS5104CEXXX PDF预览

MAS5104CEXXX

更新时间: 2024-02-11 01:40:37
品牌 Logo 应用领域
加拿大卓联 - ZARLINK 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 262K
描述
SRAM,

MAS5104CEXXX 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DFP, FL24,.4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:135 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-CDFP-F24
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX1输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装等效代码:FL24,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535V;38534K;883S
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MAS5104CEXXX 数据手册

 浏览型号MAS5104CEXXX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MAS5104CEXXX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MAS5104CEXXX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MAS5104CEXXX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MAS5104CEXXX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MAS5104CEXXX的Datasheet PDF文件第7页 
This product is obsolete.  
This information is available for your  
convenience only.  
For more information on  
Zarlink’s obsolete products and  
replacement product lists, please visit  
http://products.zarlink.com/obsolete_products/  

与MAS5104CEXXX相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MAS5104CL ZARLINK

获取价格

RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM
MAS5104CLXXX ZARLINK

获取价格

SRAM,
MAS5104CS ZARLINK

获取价格

RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM
MAS5104FB ZARLINK

获取价格

RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM
MAS5104FC ZARLINK

获取价格

RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM
MAS5104FD ZARLINK

获取价格

RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM
MAS5104FE ZARLINK

获取价格

RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM
MAS5104FL ZARLINK

获取价格

RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM
MAS5104FS ZARLINK

获取价格

RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM
MAS5114CB MICROSEMI

获取价格

Standard SRAM, 1KX4, 135ns, CMOS, CDIP18