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MAR5104FB

更新时间: 2024-09-23 03:50:23
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加拿大卓联 - ZARLINK 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 262K
描述
RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM

MAR5104FB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DFP, FL24,.4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:135 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDFP-F24JESD-609代码:e0
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:24
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DFP封装等效代码:FL24,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.035 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
总剂量:100k Rad(Si) VBase Number Matches:1

MAR5104FB 数据手册

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