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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC44,.7SQ | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 架构： | PLA-TYPE |
| 最大时钟频率： | 40 MHz | JESD-30 代码： | S-PQCC-J44 |
| JESD-609代码： | e0 | 输入次数： | 32 |
| 输出次数： | 32 | 端子数量： | 44 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC44,.7SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 电源： | 5 V |
| 可编程逻辑类型： | EE PLD | 传播延迟： | 17 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Programmable Logic Devices |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MAPL244VI-50 | TI |
获取价格 |
IC,SIMPLE-EEPLD,PLA-TYPE,CMOS,LDCC,44PIN,PLASTIC |
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| MAPL268VC-50 | TI |
获取价格 |
EE PLD, 15ns, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |
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| MAPLAD130KP275CA | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1300001W, 275V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| MAPLAD130KP275CAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1300001W, 275V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| MAPLAD130KP275CVE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1300001W, 275V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| MAPLAD15KP10 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
|
| MAPLAD15KP100AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R |
|
| MAPLAD15KP100AE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R |
|
| MAPLAD15KP100AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R |
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| MAPLAD15KP100C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
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