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MAPL-000817-015C00

更新时间： 2024-09-23 03:50:27

品牌	Logo	应用领域
泰科 - TE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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8页	246K
描述
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 800-1700 MHz, 15W, 26V

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RF Power Field Effect Transistor

LDMOS, 800—1700 MHz, 15W, 26V

1/11/06

Preliminary

Features

Package Style

•

Designed for broadband commercial

applications up to 1.7GHz

•

High Gain, High Efficiency and High

Linearity

•

Typical P1dB performance at 960MHz,

26Vdc, CW

•

Typical Power Output: 16.5W

Gain: 16.5dB

Efficiency: 50%

10:1 VSWR Ruggedness at 15W,

26Vdc, 960MHz

MAPL-000817-015C00

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Rating

Units

V_dc

V_DSS

Drain—Source Voltage

+20, -20

31.25

V_dc

V_GS

P_D

Gate—Source Voltage

Total Power Dissipation @ T_C= 25 °C

-65 to +150

150

°C

T_STG

T_J

Storage Temperature

Junction Temperature

Thermal Characteristics

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

R_ΘJC

ºC/W

NOTE—CAUTION—MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Precautions in handling and packag-

ing MOS devices should be observed.

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