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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.43 | 最大击穿电压： | 95.5 V |
| 最小击穿电压： | 86.5 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 77.8 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MAP6KE91CA | MICROSEMI |
完全替代  |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 77.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MAP6KE91CATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 77.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
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| MAP6KE91CATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 77.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
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| MAP6KE91CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 73.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
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| MAP6KE91CE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 73.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
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| MAP6KE91CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 73.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
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| MAP6KE91TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 73.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
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| MAP7101DFRH | MGCHIP |
获取价格 |
DFN-10L |
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| MAP7102 | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Output LCD Bias IC |
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| MAP7102WCRH | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Output LCD Bias IC |
|
| MAP7103 | MGCHIP |
获取价格 |
3A, High Voltage Boost Converter |
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