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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 135 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T18 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 4KX1 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.035 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 总剂量： | 30k Rad(Si) V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MAL5104CBBAF | DYNEX |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CDIP18 |
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| MAL5104CC | ZARLINK |
获取价格 |
RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM |
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| MAL5104CD | ZARLINK |
获取价格 |
RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM |
|
| MAL5104CDXXX | ZARLINK |
获取价格 |
SRAM, |
|
| MAL5104CE | ZARLINK |
获取价格 |
RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM |
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| MAL5104CL | ZARLINK |
获取价格 |
RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM |
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| MAL5104CS | ZARLINK |
获取价格 |
RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM |
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| MAL5104CSBAF | DYNEX |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CDIP18 |
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| MAL5104CSXXX | ZARLINK |
获取价格 |
SRAM, |
|
| MAL5104FB | ZARLINK |
获取价格 |
RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM |
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