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MAC229-4

更新时间： 2024-02-28 17:41:17
品牌 Logo 应用领域
DIGITRON 三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
2页 154K
描述
SILICON BIDIRECTIONAL THYRISTORS

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MAC229-4 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.78
Is Samacsys：N外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：10 mA
最大直流栅极触发电压：2 V最大维持电流：15 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：110 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：8 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：200 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

MAC229-4 数据手册

 浏览型号MAC229-4的Datasheet PDF文件第2页 
D I G I T R O N S E M I C O N D U C T O R S  
MAC229(A) SERIES  
SILICON BIDIRECTIONAL THYRISTORS  
Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix).  
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak repetitive off-state voltage(1)  
(TJ = -40 to +110°C, ½ sine wave, 50 to 60Hz, gate open)  
MAC229-4, MAC229A-4  
200  
400  
600  
800  
VDRM  
Volts  
MAC229-6, MAC229A-6  
MAC229-8, MAC229A-8  
MAC229-10, MAC229A-10  
RMS on-state current (Full cycle sine wave, 50 to 60Hz, TC = 80°C)  
IT(RMS)  
ITSM  
8
Amps  
Amps  
Peak non-repetitive surge current  
(1 cycle, 60Hz, TJ = 110°C)  
80  
Circuit fusing considerations (t = 8.3ms)  
Peak gate current (t ≤ 2µs)  
I2t  
IGM  
26  
A2s  
Amps  
Volts  
Watts  
Watts  
°C  
±2  
Peak gate voltage (t ≤ 2µs)  
VGM  
PGM  
PG(AV)  
TJ  
±10  
Peak gate power (t ≤ 2µs)  
20  
0.5  
Average gate power (TC = 80°C, t ≤ 8.3ms)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
-40 to +110  
-40 to +150  
8
Tstg  
°C  
Mounting torque  
In. lb.  
Note 1: VDRM for all types can be applied on a continuous basis. Blocking voltages shall not be tested with a constant current source such that the voltage ratings of the devices are  
exceeded.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal resistance, junction to case  
Thermal resistance, junction to ambient  
Symbol  
RӨJC  
Maximum  
Unit  
°C/W  
°C/W  
2.2  
60  
RӨJA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C and either polarity of MT2 to MT1 voltage unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
(2)  
Peak blocking current  
(VD = Rated VDRM, gate open, TJ = 25°C)  
(VD = Rated VDRM, gate open, TJ = 110°C)  
IDRM  
-
-
-
-
10  
2
µA  
mA  
Peak on-state voltage  
VTM  
Volts  
mA  
(ITM = 11A peak, pulse width ≤ 2ms, duty cycle ≤ 2%.)  
-
-
1.8  
Gate trigger current (continuous dc)  
(VD = 12V, RL = 100Ω)  
IGT  
MT2(+),G(+); MT2(+),G(-); MT2(-),G(-)  
MT2(-),G(+) “A” suffix only  
-
-
-
-
10  
15  
Gate trigger voltage (continuous dc)  
(VD = 12V, RL = 100Ω)  
MT2(+),G(+); MT2(+),G(-); MT2(-),G(-)  
MT2(-),G(+) “A” suffix only  
-
-
-
-
2.0  
2.5  
Volts  
VGT  
(VD = Rated VDRM, RL = 10kΩ, TC = 110°C)  
MT2(+),G(+); MT2(+),G(-); MT2(-),G(-), all types  
MT2(-),G(+) “A” suffix only  
0.2  
0.2  
-
-
-
-
Holding current  
IH  
mA  
µs  
(VD = 12V, ITM = 200mA, gate open)  
-
-
-
15  
-
Gate controlled turn-on time  
tgt  
(VD = Rated VDRM, ITM = 16A, IG = 30mA)  
1.5  
phone +1.908.245-7200  
fax +1.908.245-0555  
sales@digitroncorp.com  
www.digitroncorp.com  
144 Market Street  
Kenilworth NJ 07033 USA  
Rev. 20130213  
12

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