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MAC223-8FP

更新时间： 2024-09-16 22:35:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 94K
描述
ISOLATED TRIACs THYRISTORS 25 AMPERES RMS 200 thru 800 VOLTS

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MAC223-8FP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.25
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：40 V/us
最大直流栅极触发电流：50 mA最大直流栅极触发电压：2 V
最大维持电流：50 mAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0最大漏电流：2 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：25 A
重复峰值关态漏电流最大值：10 µA断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

MAC223-8FP 数据手册

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by MAC223FP/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Silicon Bidirectional Triode Thyristors  
. . . designed primarily for full-wave ac control applications, such as lighting systems,  
heater controls, motor controls and power supplies; or wherever full-wave silicon-  
gate-controlled devices are needed.  
ISOLATED TRIACs  
THYRISTORS  
25 AMPERES RMS  
200 thru 800 VOLTS  
•
•
•
Off-State Voltages to 800 Volts  
All Diffused and Glass Passivated Junctions for Parameter Uniformity and Stability  
Small, Rugged Thermowatt Construction for Thermal Resistance and High Heat  
Dissipation  
•
Gate Triggering Guaranteed in Three Modes (MAC223FP Series) or  
Four Modes (MAC223AFP Series)  
MT2  
MT1  
G
CASE 221C-02  
STYLE 3  
MAXIMUM RATINGS (T = 25° unless otherwise noted.)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
(1)  
Peak Repetitive Off-State Voltage (T = –40 to +125°C,  
V
DRM  
Volts  
J
1/2 Sine Wave 50 to 60 Hz, Gate Open)  
MAC223-4FP, MAC223A4FP  
200  
400  
600  
800  
MAC223-6FP, MAC223A6FP  
MAC223-8FP, MAC223A8FP  
MAC223-10FP, MAC223A10FP  
(2)  
On-State RMS Current (T = +80°C) Full Cycle Sine Wave 50 to 60 Hz  
I
25  
Amps  
Amps  
C
T(RMS)  
Peak Nonrepetitive Surge Current (One Full Cycle, 60 Hz, T = 80°C,  
I
250  
C
TSM  
preceded and followed by rated current)  
2
I t  
2
A s  
Circuit Fusing (t = 8.3 ms)  
260  
Peak Gate Power (t  
2 µs)  
P
20  
Watts  
Watt  
Amps  
Volts  
Volts  
°C  
GM  
Average Gate Power (T = +80°C, t  
8.3 ms)  
P
0.5  
C
G(AV)  
Peak Gate Current (t  
Peak Gate Voltage (t  
2 µs)  
2 µs)  
I
2
±10  
GM  
V
GM  
RMS Isolation Voltage (T = 25°C, Relative Humidity  
20%)  
V
(ISO)  
1500  
A
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Mounting Torque  
T
–40 to +125  
–40 to +150  
8
J
T
°C  
stg  
—
in. lb.  
1. V  
for all types can be applied on a continuous basis. Blocking voltages shall not be tested with a constant current source such that the  
DRM  
voltage ratings of the devices are exceeded.  
2. The case temperature reference point for all T measurements is a point on the center lead of the package as close as possible to the plastic  
C
body.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
1.2  
2.2  
60  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
θJC  
Thermal Resistance, Case to Sink  
R
θCS  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
θJA  
Motorola, Inc. 1995  
1234

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