MAC212A6-AC

更新时间： 2024-10-27 13:10:15

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摩托罗拉 - MOTOROLA		栅极触发装置可控硅三端双向交流开关 LORA 局域网
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400V, 12A, TRIAC, TO-220AB

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MAC212A6-AC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
外壳连接：	MAIN TERMINAL 2	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	50 mA	最大直流栅极触发电压：	2 V
最大维持电流：	50 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	12 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	400 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

MAC212A6-AC 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Silicon Bidirectional Thyristors

. . . designed primarily for full-wave ac control applications, such as light dimmers,

motor controls, heating controls and power supplies; or wherever full-wave silicon

gate controlled solid-state devices are needed. Triac type thyristors switch from a

blocking to a conducting state for either polarity of applied anode voltage with positive

or negative gate triggering.

TRIACs

12 AMPERES RMS

200 thru 800 VOLTS

•

Blocking Voltage to 800 Volts

All Diffused and Glass Passivated Junctions for Greater Parameter Uniformity

and Stability

MT1

•

Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat

Dissipation and Durability

Gate Triggering Guaranteed in Three Modes (MAC212 Series) or Four Modes

(MAC212A Series)

MT2

CASE 221A-04

(TO-220AB)

STYLE 4

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Rating

Symbol

Value

Unit

(1)

Repetitive Peak Off-State Voltage (T = –40 to +125°C,

DRM

Volts

1/2 Sine Wave 50 to 60 Hz, Gate Open)

MAC212-4, MAC212A4

200

400

600

800

MAC212-6, MAC212A6

MAC212-8, MAC212A8

MAC212-10, MAC212A10

On-State Current RMS (T = +85°C)

Full Cycle Sine Wave 50 to 60 Hz

Amp

T(RMS)

Peak Non-repetitive Surge Current (One Full Cycle, 60 Hz, T = +85°C)

preceded and followed by Rated Current

100

TSM

Circuit Fusing Considerations (t = 8.3 ms)

I t

A s

Peak Gate Power (T = +85°C, Pulse Width = 10 µs)

Watts

Watt

Amp

°C

Average Gate Power (T = +85°C, t = 8.3 ms)

0.35

G(AV)

Peak Gate Current (T = +85°C, Pulse Width = 10 µs)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

–40 to +125

–40 to +150

°C

stg

1. V

for all types can be applied on a continuous basis. Blocking voltages shall not be tested with a constant current source such that the

DRM

voltage ratings of the devices are exceeded.

3–83

Motorola Thyristor Device Data

12 3 4

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