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MAC210-10-S

更新时间： 2024-11-06 13:02:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 70K
描述
800V, 10A, TRIAC, TO-220AB

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MAC210-10-S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.78外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：50 mA
最大直流栅极触发电压：2 V最大维持电流：50 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：10 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：800 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

MAC210-10-S 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Silicon Bidirectional Thyristors  
. . . designed primarily for full-wave ac control applications, such as light dimmers,  
motor controls, heating controls and power supplies; or wherever full-wave silicon  
gate controlled solid-state devices are needed. Triac type thyristors switch from a  
blocking to a conducting state for either polarity of applied anode voltage with positive  
or negative gate triggering.  
TRIACs  
10 AMPERES RMS  
200 thru 800 VOLTS  
•
•
Blocking Voltage to 800 Volts  
All Diffused and Glass Passivated Junctions for Greater Parameter Uniformity  
and Stability  
•
•
Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat  
Dissipation and Durability  
Gate Triggering Guaranteed in Three Modes (MAC210 Series) or Four Modes  
(MAC210A Series)  
MT2  
MT1  
G
CASE 221A-04  
(TO-220AB)  
STYLE 4  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
(1)  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
V
DRM  
Volts  
(T = –40 to +125°C,  
J
1/2 Sine Wave 50 to 60 Hz, Gate Open)  
MAC210-4, MAC210A4  
MAC210-6, MAC210A6  
MAC210-8, MAC210A8  
MAC210-10, MAC210A10  
200  
400  
600  
800  
On-State Current RMS (T = +70°C)  
Full Cycle Sine Wave 50 to 60 Hz  
I
10  
Amps  
Amps  
C
T(RMS)  
Peak Non-repetitive Surge Current  
I
100  
TSM  
(One Full Cycle, 60 Hz, T = +70°C)  
C
Preceded and followed by Rated Current  
2
2
Circuit Fusing Considerations  
(t = 8.3 ms)  
I t  
40  
20  
A s  
Peak Gate Power  
(T = +70°C, Pulse Width = 10 µs)  
C
P
Watts  
GM  
Average Gate Power (T = +70°C, t = 8.3 ms)  
P
0.35  
2
Watt  
C
G(AV)  
Peak Gate Current  
(T = +70°C, Pulse Width = 10 µs)  
C
I
Amps  
GM  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
–40 to +125  
–40 to +125  
°C  
°C  
J
T
stg  
(1)  
V
for all types can be applied on a continuous basis. Blocking voltages shall not be tested with a constant current source such that  
DRM  
the voltage ratings of the devices are exceeded.  
3–75  
Motorola Thyristor Device Data  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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