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MAC16HCD

更新时间： 2024-09-07 21:54:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 触发装置三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 121K
描述
TRICAS Silicon Bidirectional Thyristors

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MAC16HCD 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.78
Is Samacsys：N外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：750 V/us
最大直流栅极触发电流：50 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：50 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：235
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：16 A
断态重复峰值电压：400 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

MAC16HCD 数据手册

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Preferred Device  
Silicon Bidirectional Thyristors  
Designed primarily for full-wave ac control applications, such as  
motor controls, heating controls or dimmers; or wherever full–wave,  
silicon gate–controlled devices are needed.  
http://onsemi.com  
• High Commutating di/dt and High Immunity to dv/dt @ 125°C  
TRIACS  
• Uniform Gate Trigger Currents in Three Quadrants, Q1, Q2, and Q3  
• Blocking Voltage to 800 Volts  
• On–State Current Rating of 16 Amperes RMS at 80°C  
• High Surge Current Capability — 150 Amperes  
16 AMPERES RMS  
400 thru 800 VOLTS  
• Industry Standard TO–220AB Package for Ease of Design  
• Glass Passivated Junctions for Reliability and Uniformity  
• Device Marking: Logo, Device Type, e.g., MAC16HCD, Date Code  
MT2  
MT1  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
4
(1)  
Peak Repetitive Off–State Voltage  
(T = –40 to 125°C, Sine Wave,  
50 to 60 Hz, Gate Open)  
V
DRM,  
Volts  
V
RRM  
J
MAC16HCD  
MAC16HCM  
MAC16HCN  
400  
600  
800  
1
2
On–State RMS Current  
(Full Cycle Sine Wave 50 to 60 Hz;  
= 80°C)  
I
16  
A
A
T(RMS)  
3
T
C
TO–220AB  
CASE 221A  
STYLE 4  
Peak Non-Repetitive Surge Current  
(One Full Cycle, 60 Hz, T = 125°C)  
I
150  
93  
TSM  
J
(2)  
2
I t  
2
Circuit Fusing Consideration  
(t = 8.33 ms)  
A sec  
PIN ASSIGNMENT  
1
2
3
4
Main Terminal 1  
Peak Gate Power  
P
GM  
20  
Watts  
Watts  
°C  
Main Terminal 2  
Gate  
(Pulse Width ≤ 1.0 µs, T = 80°C)  
C
Average Gate Power  
P
0.5  
G(AV)  
(t = 8.3 ms, T = 80°C)  
Main Terminal 2  
C
Operating Junction Temperature Range  
T
J
–40 to  
+125  
ORDERING INFORMATION  
Storage Temperature Range  
T
–40 to  
+150  
°C  
stg  
Device  
Package  
TO220AB  
TO220AB  
TO220AB  
Shipping  
(1) V  
DRM  
and V  
RRM  
for all types can be applied on a continuous basis. Blocking  
MAC16HCD  
MAC16HCM  
MAC16HCN  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
voltages shall not be tested with a constant current source such that the  
voltage ratings of the devices are exceeded.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 1999  
1
Publication Order Number:  
February, 2000 – Rev. 0  
MAC16HC/D  
12345678

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MAC16HCD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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功能相似

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