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MA3J742

更新时间： 2024-09-22 22:14:19

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松下 - PANASONIC		二极管
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4页	73K
描述
Schottky Barrier Diodes (SBD)

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MA3J742 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-79	包装说明：	R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.84	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.4 V	频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.03 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MA3J742 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3J742 (MA742)

Silicon epitaxial planar type

Unit: mm

+0.1

–0

+0.1

For switching

0.3

0.15

–0.05

I Features

•

Two MA3X716 (MA716) is contained in one package (series

connection)

(0.65)(0.65)

•

0.9 ^0.1

Low forward voltage V_F, optimum for low voltage rectification

Optimum for high frequency rectification because of its short

reverse recovery time (t_rr)

1.3 0.1

2.0 ^0.2

5°

•

S-Mini type 3-pin package

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Reverse voltage (DC)

Peak reverse voltage

Forward current (DC) Single

Series ^*

Symbol

V_R

Rating

Unit

1 : Anode 1

2 : Cathode 2

3 : Cathode 1

Anode 2

V_RM

I_F

SMini3-F1 Package

Marking Symbol: M1U

ꢀ

Peak forward current Single

Series ^*

I_FM

150

Internal Connection

110

Junction temperature

Storage temperature

T_j

125

°C

T_stg

−55 to +125

Note) : Value per chip

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

V_R= 30 V

I_F= 1 mA

V_F1

V_F2

C_t

0.4

I_F= 30 mA

Terminal capacitance

Reverse recovery time ^*

V_R= 1 V, f = 1 MHz

1.5

t_rr

I_F= I_R= 10 mA

I_rr= 1 mA, R_L= 100 Ω

Detection efficiency

V_in= 3 V_(peak), f = 30 MHz

R_L= 3.9 kΩ, C_L= 10 pF

Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body

and the leakage of current from the operating equipment.

ꢀ

2. Rated input/output frequency: 2 GHz

3. : t_rrmeasuring instrument

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

Output Pulse

t_rr

t_p

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 1 mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

I_R= 10 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

Wave Form Analyzer

(SAS-8130)

R_s= 50 Ω

R_i= 50 Ω

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: August 2001

SKH00056AED

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MA742	PANASONIC	功能相似	Schottky Barrier Diodes (SBD)

与MA3J742相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MA3J744	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3J7440G	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2
MA3J745	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3J745(MA745)	ETC	获取价格	Small-signal device - Diodes - Schottky Barrier Diodes(SBD)
MA3J745D	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3J745DG	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
MA3J745E	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3JP02F	PANASONIC	获取价格	Pin Diode, Silicon, SC-79, 3 PIN
MA3JP02FG	PANASONIC	获取价格	Pin Diode, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
MA3S132A	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type

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