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Datasheet > 二极管 > 微波混频二极管> MA3J741DG
MA3J741DG PDF预览

MA3J741DG

更新时间： 2024-09-23 13:10:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 微波混频二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 47K
描述
Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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MA3J741DG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
风险等级：5.8配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
频带：L BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：2端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MA3J741DG 数据手册

 浏览型号MA3J741DG的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3J741  
Silicon epitaxial planar type  
Unit : mm  
2.1 0.1  
For switching circuits  
0.425  
1.25 0.1  
0.425  
I Features  
1
2
•
•
S-mini type package (3-pin) of MA3X704A  
Low forward rise voltage (VF) and satisfactory wave detection  
efficiency (η)  
3
•
•
Small temperature coefficient of forward characteristic  
Extremely low reverse current IR  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Peak reverse voltage  
Forward current (DC)  
Peak forward current  
Junction temperature  
Storage temperature  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
1 : Anode  
2 : NC  
3 : Cathode  
EIAJ : SC-70  
VR  
30  
VRM  
IF  
30  
30  
V
mA  
mA  
°C  
Flat S-Mini Type Package (3-pin)  
IFM  
150  
Marking Symbol: M1L  
Internal Connection  
Tj  
125  
Tstg  
−55 to +125  
°C  
1
2
3
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
300  
0.4  
1
Unit  
nA  
V
VR = 30 V  
IF = 1 mA  
VF1  
VF2  
Ct  
IF = 30 mA  
V
Terminal capacitance  
Reverse recovery time*  
VR = 1 V, f = 1 MHz  
1.5  
1
pF  
ns  
trr  
IF = IR = 10 mA  
Irr = 1 mA, RL = 100 Ω  
Detection efficiency  
η
Vin = 3 V(peak), f = 30 MHz  
65  
%
RL = 3.9 kΩ, CL = 10 pF  
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a  
human body and the leakage of current from the operating equipment.  
ꢀ
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz  
3. * : trr measuring instrument  
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 1 mA  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
IR = 10 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
W.F.Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
1
12

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与MA3J741DG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA3J741E PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3J741EG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
MA3J742 PANASONIC

获取价格

 		Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3J744 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3J7440G PANASONIC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2
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 		Silicon epitaxial planar type
MA3J745(MA745) ETC

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 		Small-signal device - Diodes - Schottky Barrier Diodes(SBD)
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MA3J745DG PANASONIC

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 		Mixer Diode, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
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