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MA26077

更新时间： 2024-11-19 04:17:23

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松下 - PANASONIC		/
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3页	217K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA26077 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.84	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	1.2 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

MA26077 数据手册

Band Switching Diodes

MA26077

Silicon epitaxial planar type

For band switching

Unit: mm

 Features



Low forward dynamic resistance r_f



Less voltage dependence of diode capacitance C_D

+0.01

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25

0.39

1.00±0.05

−0.03

Parameter

Reverse voltage

Symbol

V_R

Rating

Unit

0.25±0.05

^0.25±0.051

Forward current

I_F

100

Operating ambient temperature

Storage temperature

T_opr

–25

∼

+85

–55 to +125

0.65±0.01

0.05±0.03

stg

1: Anode

2: N.C.

3: Cathode

ML3-N2 Package

Marking Symbol: 3L

 Electrical Characteristics T_a= 25

C±3

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

1.0

Unit

V_F

I_R

I_F= 100 mA

V_R= 33 V

0.92

0.01

0.9

Reverse current

100

1.2

Ω

Diode capacitance

C_D

r_f

V_R= 6 V, f = 1 MHz

Forward dynamic resistance ^*

I_F= 2 mV, f = 100 MHz

0.65

0.85

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. Maximum ambient temperature during operation.

3. Absolute frequency of input and output is 100 MHz

4. : Measuring instrument: YHP 4191A RF IMPEDANCE ANALYZER

Publication date: November 2004

SKG00017AED

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