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M95512-WMN6

更新时间： 2024-02-27 12:04:01

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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描述
64KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8

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M95512-WMN6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	10 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.9 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

M95512-WMN6 数据手册

M95512-DR

M95512-R M95512-W

512 Kbit serial SPI bus EEPROM

with high-speed clock

Features

■ Compatible with the Serial Peripheral Interface

(SPI) bus

■ Memory array

– 512 Kb (64 Kbytes) of EEPROM

– Page size: 128 bytes

■ Additional Write lockable Page (Identification

SO8 (MN)

150 mils width

page)

■ Write

– Byte Write within 5 ms

– Page Write within 5 ms

■ Write Protect: quarter, half or whole memory

array

TSSOP8 (DW)

169 mils width

■ High-speed clock frequency (20 MHz)

■ Single supply voltage: 1.8 V to 5.5 V

■ More than 1 Million Write cycles

■ More than 40-year data retention

■ Enhanced ESD Protection

■ Packages

UFDFPN8 (MB)

2 × 3 mm (MLP)

– ECOPACK2® (RoHS compliant and

Halogen-free)

WLCSP (CS)

September 2010

Doc ID 11124 Rev 13

1/48

www.st.com

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