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M95256-WMW6TG/K

更新时间： 2024-11-05 11:48:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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描述
256 Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock

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M95256-WMW6TG/K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
端子数量：	8	字数：	32768 words
字数代码：	32000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.005 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

M95256-WMW6TG/K 数据手册

M95256-DR

M95256 M95256-W M95256-R

256 Kbit serial SPI bus EEPROM

with high-speed clock

Features

■ Compatible with the Serial Peripheral Interface

(SPI) bus

■ Memory array

– 256 Kb (32 Kbytes) of EEPROM

– Page size: 64 bytes

SO8 (MN)

150 mil width

■ Additional Write lockable Page (Identification

page)

■ Write

– Byte Write within 5 ms

– Page Write within 5 ms

■ Write Protect: quarter, half or whole memory

array

SO8 (MW)

200 mil width

■ High-speed clock frequency (20 MHz)

■ Single supply voltage: 1.8 V to 5.5 V

■ More than 1 Million Write cycles

■ More than 40-year data retention

■ Enhanced ESD Protection

■ Packages

– ECOPACK2 (RoHS compliant and

TSSOP8 (DW)

169 mil width

Halogen-free)

WLCSP (CS)

September 2010

Doc ID 12276 Rev 11

1/48

www.st.com

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