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M95256-MN3G/K

更新时间： 2024-02-24 00:42:28

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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48页	500K
描述
256 Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock

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M95256-MN3G/K 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.9 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.004 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

M95256-MN3G/K 数据手册

M95256-DR

M95256 M95256-W M95256-R

256 Kbit serial SPI bus EEPROM

with high-speed clock

Features

■ Compatible with the Serial Peripheral Interface

(SPI) bus

■ Memory array

– 256 Kb (32 Kbytes) of EEPROM

– Page size: 64 bytes

SO8 (MN)

150 mil width

■ Additional Write lockable Page (Identification

page)

■ Write

– Byte Write within 5 ms

– Page Write within 5 ms

■ Write Protect: quarter, half or whole memory

array

SO8 (MW)

200 mil width

■ High-speed clock frequency (20 MHz)

■ Single supply voltage: 1.8 V to 5.5 V

■ More than 1 Million Write cycles

■ More than 40-year data retention

■ Enhanced ESD Protection

■ Packages

– ECOPACK2 (RoHS compliant and

TSSOP8 (DW)

169 mil width

Halogen-free)

WLCSP (CS)

September 2010

Doc ID 12276 Rev 11

1/48

www.st.com

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