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M95256-DW3G/K

更新时间： 2024-01-02 15:27:46

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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48页	500K
描述
256 Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock

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M95256-DW3G/K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.12	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	端子数量：	8
字数：	32768 words	字数代码：	32000
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.006 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

M95256-DW3G/K 数据手册

M95256-DR

M95256 M95256-W M95256-R

256 Kbit serial SPI bus EEPROM

with high-speed clock

Features

■ Compatible with the Serial Peripheral Interface

(SPI) bus

■ Memory array

– 256 Kb (32 Kbytes) of EEPROM

– Page size: 64 bytes

SO8 (MN)

150 mil width

■ Additional Write lockable Page (Identification

page)

■ Write

– Byte Write within 5 ms

– Page Write within 5 ms

■ Write Protect: quarter, half or whole memory

array

SO8 (MW)

200 mil width

■ High-speed clock frequency (20 MHz)

■ Single supply voltage: 1.8 V to 5.5 V

■ More than 1 Million Write cycles

■ More than 40-year data retention

■ Enhanced ESD Protection

■ Packages

– ECOPACK2 (RoHS compliant and

TSSOP8 (DW)

169 mil width

Halogen-free)

WLCSP (CS)

September 2010

Doc ID 12276 Rev 11

1/48

www.st.com

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