Datasheet > M95160-WBN5

M95160-WBN5

更新时间： 2024-09-23 20:10:35

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	164K
描述
2KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, DIP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M95160-WBN5 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.71
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e0
长度：	9.27 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	2KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.33 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

M95160-WBN5 数据手册

M95640, M95320

M95160, M95080

64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM

With High Speed Clock

PRELIMINARY DATA

■ SPI Bus Compatible Serial Interface

■ Supports Positive Clock SPI Modes

■ 5 MHz Clock Rate (maximum)

■ Single Supply Voltage:

– 4.5V to 5.5V for M95xxx

– 2.7V to 5.5V for M95xxx-V

– 2.5V to 5.5V for M95xxx-W

– 1.8V to 3.6V for M95xxx-R

■ Status Register

PSDIP8 (BN)

0.25 mm frame

TSSOP14 (DL)

169 mil width

■ Hardware and Software Protection of the Status

■ BYTE and PAGE WRITE (up to 32 Bytes)

■ Self-Timed Programming Cycle

■ Adjustable Size Read-Only EEPROM Area

■ Enhanced ESD Protection

SO8 (MN)

150 mil width

■ 100,000 Erase/Write Cycles (minimum)

■ 40 Year Data Retention (minimum)

DESCRIPTION

These electrically erasable programmable memo-

ry (EEPROM) devices are fabricated with STMi-

croelectronics’

High

Endurance,

Double

Polysilicon, CMOS technology. This guarantees

an endurance typically well above one hundred

Figure 1. Logic Diagram

Table 1. Signal Names

Serial Clock

Serial Data Input

Serial Data Output

Chip Select

Write Protect

Hold

M95xxx

HOLD

Supply Voltage

Ground

AI01789C

June 1999

1/19

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与M95160-WBN5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M95160-WBN5T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock
M95160-WBN6	STMICROELECTRONICS	获取价格	16Kbit and 8Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock
M95160-WBN6G	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
M95160-WBN6P	STMICROELECTRONICS	获取价格	2KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8
M95160-WBN6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock
M95160WCS6TG/G	STMICROELECTRONICS	获取价格	16-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock
M95160WCS6TG/S	STMICROELECTRONICS	获取价格	16-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock
M95160WCS6TP/G	STMICROELECTRONICS	获取价格	16-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock
M95160WCS6TP/S	STMICROELECTRONICS	获取价格	16-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock
M95160-WDL1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock

与M95160-WBN5相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

4
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

6
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

78
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

68

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M95160-WBN5

M95160-WBN5 技术参数

M95160-WBN5 数据手册

与M95160-WBN5相关器件

与M95160-WBN5相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M95160-WBN5

M95160-WBN5 技术参数

M95160-WBN5 数据手册

与M95160-WBN5相关器件

与M95160-WBN5相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？