5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.25 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 1 MHz | 数据保留时间-最小值： | 40 |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 9.27 mm |
| 内存密度： | 1024 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 64 words |
| 字数代码： | 64 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64X16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2/5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.33 mm | 串行总线类型： | MICROWIRE |
| 最大待机电流： | 0.000002 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.002 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M93S46-RBN6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S46-RBN6TG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S46-RBN6TP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S46-RDS3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S46-RDS3G | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S46-RDS3P | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S46-RDS3T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S46-RDS3TG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S46-RDS3TP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S46-RDS6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
