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M93C46RMN8TG/K

更新时间： 2024-09-29 14:35:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 1083K
描述
EEPROM

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M93C46RMN8TG/K 技术参数

生命周期：Active包装说明：SOP-8
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.69
Is Samacsys：N备用内存宽度：8
最大时钟频率 (fCLK)：2 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：4.9 mm内存密度：1024 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：8
字数：64 words字数代码：64
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：105 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64X16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.75 mm串行总线类型：MICROWIRE
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：4 msBase Number Matches：1

M93C46RMN8TG/K 数据手册

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M93Cx6-DRE  
16-Kbit, 8-Kbit, 4-Kbit, 2-Kbit and 1-Kbit (8-bit or 16-bit wide)  
MICROWIRE™ serial EEPROM 105 °C operation  
Datasheet - production data  
Features  
• Industry standard MICROWIRE™ bus  
• Memory array: 1 Kb, 2 Kb, 4 Kb, 8 Kb or 16 Kb  
• Dual organization: by word (x16) or byte (x8)  
• Write  
SO8 (MN)  
150 mil width  
– Byte within 4 ms  
– Word within 4 ms  
• READY/BUSY signal during programming  
• 2 MHz clock rate  
• Sequential read operation  
• Single supply voltage: 1.7 V to 5.5 V  
TSSOP8 (DW)  
169 mil width  
• Extended temperature range: -40 °C up to 105  
°C  
• Enhanced ESD protection  
• Write cycle endurance  
– 4 million Write cycles at 25 °C  
– 1.2 million Write cycles at 85 °C  
– 900 k Write cycle at 105°C  
WFDFPN8 (MF)  
DFN8 - 2 x 3 mm  
• Data retention  
– more than 50 years at 105 °C  
– 200 years at 55 °C  
• Packages  
– RoHS-compliant and Halogen-free  
(ECOPACK2®)  
Table 1. Device summary  
Reference  
Part number  
M93C46-DRE  
M93C56-DRE  
M93C66-DRE  
M93C76-DRE  
M93C86-DRE  
M93Cx6-DRE  
February 2017  
DocID028496 Rev 2  
1/32  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
 
 
1234567...32

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		64X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
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