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Datasheet > 逻辑 > 栅极> M74HC86M1R
M74HC86M1R PDF预览

M74HC86M1R

更新时间： 2024-09-30 22:24:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发器逻辑集成电路石英晶振光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 181K
描述
QUAD EXCLUSIVE OR GATE

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M74HC86M1R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP-14
针数：14Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.25
Is Samacsys：N系列：HC/UH
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e4
长度：8.65 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：XOR GATE最大I（ol）：0.004 A
湿度敏感等级：1功能数量：4
输入次数：2端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP14,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/6 VProp。Delay @ Nom-Sup：33 ns
传播延迟（tpd）：165 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.75 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：6 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：4.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

M74HC86M1R 数据手册

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M74HC86  
QUAD EXCLUSIVE OR GATE  
■
■
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■
■
■
HIGH SPEED:  
= 12ns (TYP.) at V = 6V  
t
PD  
CC  
LOW POWER DISSIPATION:  
= 1µA(MAX.) at T =25°C  
I
CC  
A
HIGH NOISE IMMUNITY:  
= V = 28 % V (MIN.)  
V
NIH  
NIL  
CC  
DIP  
SOP  
TSSOP  
T & R  
SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:  
|I | = I = 4mA (MIN)  
OH  
OL  
BALANCED PROPAGATION DELAYS:  
t
t
ORDER CODES  
PACKAGE  
PLH  
PHL  
WIDE OPERATING VOLTAGE RANGE:  
(OPR) = 2V to 6V  
TUBE  
V
CC  
DIP  
SOP  
M74HC86B1R  
M74HC86M1R  
PIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH  
74 SERIES 86  
M74HC86RM13TR  
M74HC86TTR  
TSSOP  
DESCRIPTION  
The M74HC86 is an high speed CMOS QUAD  
EXCLUSIVE OR GATE fabricated with silicon  
gate C MOS technology.  
All inputs are equipped with protection circuits  
against static discharge and transient excess  
voltage.  
2
Input and output buffer are installed, which  
enables high noise immunity and stable output.  
PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS  
July 2001  
1/8  
12345678

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M74HC86M1R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M74HC86RM13TR STMICROELECTRONICS

完全替代

 QUAD EXCLUSIVE OR GATE
MC74HC86ADG ONSEMI

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CD74HC86M TI

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