Datasheet > 存储 > SRAM> M74HC670C1

M74HC670C1

更新时间： 2024-11-29 13:10:11

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
12页	266K
描述
4X4 STANDARD SRAM, 49ns, PQCC20, PLASTIC, LCC-20

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M74HC670C1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QLCC
包装说明：	QCCJ, LDCC20,.4SQ	针数：	20
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.91
最长访问时间：	49 ns	JESD-30 代码：	S-PQCC-J20
JESD-609代码：	e0	长度：	8.9662 mm
内存密度：	16 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	4 words	字数代码：	4
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4X4
输出特性：	3-STATE	可输出：	NO
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC20,.4SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2/6 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.57 mm
子类别：	Other Memory ICs	最大供电电压 (Vsup)：	6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8.9662 mm	Base Number Matches：	1

M74HC670C1 数据手册

M54HC670

M74HC670

4 WORD X 4 BIT REGISTER FILE (3 STATE)

HIGH SPEED

t_PD= 23 ns (TYP.) AT V_CC= 5 V

LOW POWER DISSIPATION

I_CC= 4 µA (MAX.) AT T_A= 25 °C

HIGH NOISE IMMUNITY

V_NIH= V_NIL= 28 % V_CC(MIN.)

OUTPUT DRIVE CAPABILITY

10 LSTTL LOADS

SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE

|I_OH| = I_OL= 4 mA (MIN.)

BALANCED PROPAGATION DELAYS

t_PLH= t_PHL

WIDE OPERATING VOLTAGE RANGE

B1R

(Plastic Package)

F1R

(Ceramic Package)

M1R

(Micro Package)

C1R

(Chip Carrier)

V_CC(OPR) = 2 V TO 6 V

PIN AND FUNCTION COMPATIBLE

WITH 54/74LS670

ORDER CODES :

M54HC670F1R

M74HC670B1R

M74HC670M1R

M74HC670C1R

PIN CONNECTIONS (top view)

DESCRIPTION

The M54/74HC670 is a high speed CMOS 4 WORD

X 4 BIT REGISTER FILE (3-STATE) fabricated in

silicon gate C²MOS technology. It has the same

high speed performance of LSTTL combined with

true CMOS low power consumption. The

M54HC/74HC670 is a 4 x 4 Register File organized

as four words by four bits. Separate read and write

inputs, both address and enable, allow simulta-

neous read and write operation. The 3-state outputs

make it possible to connect up to 128 outputs to in-

crease theword capacity up to 512 words. Anynum-

ber of these devices can be operated in parallel to

generate an n-bitlength. Allinputs areequipped with

protection circuits against static discharge and tran-

sient excess voltage.

NC =

No Internal

Connection

October 1992

1/12

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与M74HC670C1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M74HC670C1R	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 WORD X 4 BIT REGISTER FILE 3 STATE
M74HC670DP	MITSUBISHI	获取价格	Memory IC, CMOS, PDSO16
M74HC670FP	MITSUBISHI	获取价格	Memory IC, CMOS, PDSO16
M74HC670M1	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
M74HC670M1R	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 WORD X 4 BIT REGISTER FILE 3 STATE
M74HC670P	MITSUBISHI	获取价格	Memory IC, CMOS, PDIP16
M74HC670RM13TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 WORD x 4 BIT REGISTER FILE (3 STATE)
M74HC670TTR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 WORD x 4 BIT REGISTER FILE (3 STATE)
M74HC688	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 BIT EQUALITY COMPARATOR
M74HC688B1R	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 BIT EQUALITY COMPARATOR

与M74HC670C1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

67
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

63

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M74HC670C1

M74HC670C1 技术参数

M74HC670C1 数据手册

与M74HC670C1相关器件

与M74HC670C1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M74HC670C1

M74HC670C1 技术参数

M74HC670C1 数据手册

与M74HC670C1相关器件

与M74HC670C1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？