Datasheet > 存储 > SRAM> M74HC670B1R

M74HC670B1R

更新时间： 2024-11-28 22:36:55

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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12页	266K
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4 WORD X 4 BIT REGISTER FILE 3 STATE

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M74HC670B1R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP16,.3
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.57	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	280 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T16
JESD-609代码：	e3	内存密度：	16 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	16	字数：	4 words
字数代码：	4	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	4X4	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP16,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2/6 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.1 mm	子类别：	Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup)：	6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	4.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

M74HC670B1R 数据手册

M54HC670

M74HC670

4 WORD X 4 BIT REGISTER FILE (3 STATE)

HIGH SPEED

t_PD= 23 ns (TYP.) AT V_CC= 5 V

LOW POWER DISSIPATION

I_CC= 4 µA (MAX.) AT T_A= 25 °C

HIGH NOISE IMMUNITY

V_NIH= V_NIL= 28 % V_CC(MIN.)

OUTPUT DRIVE CAPABILITY

10 LSTTL LOADS

SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE

|I_OH| = I_OL= 4 mA (MIN.)

BALANCED PROPAGATION DELAYS

t_PLH= t_PHL

WIDE OPERATING VOLTAGE RANGE

B1R

(Plastic Package)

F1R

(Ceramic Package)

M1R

(Micro Package)

C1R

(Chip Carrier)

V_CC(OPR) = 2 V TO 6 V

PIN AND FUNCTION COMPATIBLE

WITH 54/74LS670

ORDER CODES :

M54HC670F1R

M74HC670B1R

M74HC670M1R

M74HC670C1R

PIN CONNECTIONS (top view)

DESCRIPTION

The M54/74HC670 is a high speed CMOS 4 WORD

X 4 BIT REGISTER FILE (3-STATE) fabricated in

silicon gate C²MOS technology. It has the same

high speed performance of LSTTL combined with

true CMOS low power consumption. The

M54HC/74HC670 is a 4 x 4 Register File organized

as four words by four bits. Separate read and write

inputs, both address and enable, allow simulta-

neous read and write operation. The 3-state outputs

make it possible to connect up to 128 outputs to in-

crease theword capacity up to 512 words. Anynum-

ber of these devices can be operated in parallel to

generate an n-bitlength. Allinputs areequipped with

protection circuits against static discharge and tran-

sient excess voltage.

NC =

No Internal

Connection

October 1992

1/12

12 3 4 5 6 7...12

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M74HC670B1R 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
74HC670N,652	NXP	类似代替	4X4 STANDARD SRAM, 59ns, PDIP16

与M74HC670B1R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M74HC670C1	STMICROELECTRONICS	获取价格	4X4 STANDARD SRAM, 49ns, PQCC20, PLASTIC, LCC-20
M74HC670C1R	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 WORD X 4 BIT REGISTER FILE 3 STATE
M74HC670DP	MITSUBISHI	获取价格	Memory IC, CMOS, PDSO16
M74HC670FP	MITSUBISHI	获取价格	Memory IC, CMOS, PDSO16
M74HC670M1	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
M74HC670M1R	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 WORD X 4 BIT REGISTER FILE 3 STATE
M74HC670P	MITSUBISHI	获取价格	Memory IC, CMOS, PDIP16
M74HC670RM13TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 WORD x 4 BIT REGISTER FILE (3 STATE)
M74HC670TTR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 WORD x 4 BIT REGISTER FILE (3 STATE)
M74HC688	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 BIT EQUALITY COMPARATOR

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