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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 49 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 4 words |
| 字数代码： | 4 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4X4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2/6 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.1 mm | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M74HC670B1R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 WORD X 4 BIT REGISTER FILE 3 STATE |
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| M74HC670C1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4X4 STANDARD SRAM, 49ns, PQCC20, PLASTIC, LCC-20 |
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| M74HC670C1R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 WORD X 4 BIT REGISTER FILE 3 STATE |
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| M74HC670DP | MITSUBISHI |
获取价格 |
Memory IC, CMOS, PDSO16 |
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| M74HC670FP | MITSUBISHI |
获取价格 |
Memory IC, CMOS, PDSO16 |
|
| M74HC670M1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| M74HC670M1R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 WORD X 4 BIT REGISTER FILE 3 STATE |
|
| M74HC670P | MITSUBISHI |
获取价格 |
Memory IC, CMOS, PDIP16 |
|
| M74HC670RM13TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 WORD x 4 BIT REGISTER FILE (3 STATE) |
|
| M74HC670TTR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 WORD x 4 BIT REGISTER FILE (3 STATE) |
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