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M6MGT64BS8BWG

更新时间： 2024-02-11 23:39:45
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 45K
描述
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA67, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, STACKED, CSP-67

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M6MGT64BS8BWG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：FBGA,
针数：67Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.84
其他特性：SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B67
JESD-609代码：e1长度：10.8 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：67
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：8.5 mmBase Number Matches：1

M6MGT64BS8BWG 数据手册

 浏览型号M6MGT64BS8BWG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M6MGT64BS8BWG的Datasheet PDF文件第3页 
Renesas LSIs  
Preliminary  
Notice: This is not a final specification.  
Some parametric limits are subject to change.  
M6MGB/T64BS8BWG  
67,108,864-BIT (4,194,304-WORD BY 16-BIT) CMOS FLASH MEMORY  
8,388,608-BIT (524,288-WORD BY 16-BIT) CMOS SRAM  
Stacked-CSP (Chip Scale Package)  
&
Description  
The RENESAS M6MGB/T64BS8BWG is suitable for a high  
performance cellular phone and a mobile PC that are  
required to be small mounting area, weight and small power  
dissipation.  
The RENESAS M6MGB/T64BS8BWG is a Stacked Chip  
Scale Package (S-CSP) that contents 64M-bit Flash memory  
and 8M-bit SRAM in a 67-pin Stacked CSP for lead free use.  
64M-bit Flash memory is a 4,194,304 words, single power  
supply and high performance non-volatile memory fabricated  
by CMOS technology for the peripheral circuit and DINOR IV  
(Divided bit-line NOR IV) architecture for the memory cell. All  
memory blocks are locked and can not be programmed or  
erased, when F-WP# is Low. Using Software Lock Release  
function, program or erase operation can be executed.  
Features  
Access Time  
Flash  
SRAM  
70ns (Max.)  
85ns (Max.)  
Supply Voltage  
Ambient Temperature  
Package  
F-VCC =S-VCC=2.7 ~ 3.0V  
Ta= -40 ~ 85 degree  
67pin S-CSP,  
8M-bit SRAM is a 524,288 words asynchronous SRAM  
fabricated by CMOS technology for the peripheral circuit and  
TFT type transistor for the memory cell.  
Ball pitch 0.80mm  
Outer-ball:Su-Ag-Cu  
Application  
Mobile communication products  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
INDEX(Laser Marking)  
8
4
5
6
7
2
3
NC  
NC  
A
NC  
NC  
NC  
B
C
D
S-  
LB#  
F-  
WP#  
S-  
GND  
F-  
WE#  
A16  
A8  
A20  
A11  
A18  
A17  
A7  
F-  
RY/BY#  
S-  
UB#  
F-  
RP#  
A5  
A4  
NC  
A19  
S-  
OE#  
A10  
A15  
A14  
A21  
E
F
G
H
J
A0  
A6  
DQ11  
A9  
F-  
CE#  
DQ13 DQ15  
A3  
A2  
DQ9  
DQ8  
DQ0  
DQ12  
A13  
A12  
S-  
CE2  
S-  
WE#  
F-  
GND  
DQ10  
DQ2  
DQ6  
F-  
OE#  
F-  
GND  
S-  
VCC  
DQ4  
DQ5  
DQ14  
DQ7  
A1  
S-  
CE1#  
F-  
VCC  
NC  
NC  
DQ1  
DQ3  
NC  
NC  
K
L
NC  
NC  
M
(Top View)  
8.5 mm  
F-VCC  
: VCC for Flash Memory  
: VCC for SRAM  
F-OE#  
:Output enable for Flash  
:Output enable for SRAM  
:Write enable for Flash  
:Write enable for SRAM  
:Write protect for Flash  
:Reset power down for Flash  
:Flash Ready/Busy  
:Lower byte control for SRAM  
:Upper byte control for SRAM  
:Non Connection  
S-VCC  
F-GND  
S-GND  
A0-A18  
A19-A21  
DQ0-DQ15  
F-CE#  
S-OE#  
F-WE#  
S-WE#  
F-WP#  
F-RP#  
F-RY/BY#  
S-LB#  
S-UB#  
NC  
: GND for Flash Memory  
: GND for SRAM  
: Common address for Flash/SRAM  
: Address for Flash  
: Data I/O  
: Flash chip enable  
: SRAM chip enable1  
: SRAM chip enable2  
S-CE1#  
S-CE2  
1
Rev.0.1.48a_bebz  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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