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M68Z128W-70N1TR

更新时间: 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 110K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32

M68Z128W-70N1TR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.59最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最小待机电流:1.4 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mmBase Number Matches:1

M68Z128W-70N1TR 数据手册

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M68Z128W  
3V, 1 Mbit (128 Kbit x 8) Low Power SRAM with Output Enable  
FEATURES SUMMARY  
ULTRA LOW DATA RETENTION CURRENT  
Figure 1. Package  
– 10nA (typical)  
– 2.0µA (max)  
OPERATION VOLTAGE: 3.0V (+0.6 / –0.3V)  
128 Kbit x 8 SRAM WITH OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 70ns  
LOW V  
DATA RETENTION: 1.4V  
CC  
TRI-STATE COMMON I/O  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
LOW ACTIVE and STANDBY POWER  
INTENDED FOR USE WITH ST  
®
®
ZEROPOWER AND TIMEKEEPER  
CONTROLLERS  
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