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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 静态存储器 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
12页 | 98K | |
描述 | ||
128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.57 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最小待机电流: | 1.4 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M68Z128W-70N1T | STMICROELECTRONICS |
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3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable | |
M68Z128W-70N1TR | STMICROELECTRONICS |
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128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 | |
M68Z128WN | STMICROELECTRONICS |
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3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable | |
M68Z512 | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit 512Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable | |
M68Z512-70NC1 | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 | |
M68Z512-70NC1T | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit 512Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable | |
M68Z512-70NC1TR | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 | |
M68Z512NC | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit 512Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable | |
M69032 | MITSUBISHI |
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M69032P | MITSUBISHI |
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Consumer Circuit, PDIP56, SDIP-56 |