是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.68 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M68Z128N | STMICROELECTRONICS |
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5V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable | |
M68Z128W | STMICROELECTRONICS |
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3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable | |
M68Z128W-70N1 | STMICROELECTRONICS |
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128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 | |
M68Z128W-70N1T | STMICROELECTRONICS |
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3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable | |
M68Z128W-70N1TR | STMICROELECTRONICS |
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128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 | |
M68Z128WN | STMICROELECTRONICS |
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3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable | |
M68Z512 | STMICROELECTRONICS |
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4 Mbit 512Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable | |
M68Z512-70NC1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
暂无描述 | |
M68Z512-70NC1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit 512Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable | |
M68Z512-70NC1TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
暂无描述 |