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M68AW512MN70ND1

更新时间: 2024-09-20 13:10:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
19页 300K
描述
512KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

M68AW512MN70ND1 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:18.41 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

M68AW512MN70ND1 数据手册

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M68AW512M  
8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
Figure 1. Package  
512K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns  
SINGLE BYTE READ/WRITE  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW VCC DATA RETENTION: 1.5V  
TRI-STATE COMMON I/O  
44  
1
AUTOMATIC POWER DOWN  
TSOP44 Type II (ND)  
September 2004  
1/19  

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