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M68AW512MN55ND1

更新时间: 2024-11-25 13:02:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
19页 300K
描述
512KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

M68AW512MN55ND1 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:18.41 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

M68AW512MN55ND1 数据手册

 浏览型号M68AW512MN55ND1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M68AW512MN55ND1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M68AW512MN55ND1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M68AW512MN55ND1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M68AW512MN55ND1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M68AW512MN55ND1的Datasheet PDF文件第7页 
M68AW512M  
8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
Figure 1. Package  
512K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns  
SINGLE BYTE READ/WRITE  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW VCC DATA RETENTION: 1.5V  
TRI-STATE COMMON I/O  
44  
1
AUTOMATIC POWER DOWN  
TSOP44 Type II (ND)  
September 2004  
1/19  

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