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M68AW512ML70ND6

更新时间: 2024-09-20 13:00:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
19页 300K
描述
512KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

M68AW512ML70ND6 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:PLASTIC, TSOP2-44
针数:44Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.79Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:18.41 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

M68AW512ML70ND6 数据手册

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M68AW512M  
8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
Figure 1. Package  
512K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns  
SINGLE BYTE READ/WRITE  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW VCC DATA RETENTION: 1.5V  
TRI-STATE COMMON I/O  
44  
1
AUTOMATIC POWER DOWN  
TSOP44 Type II (ND)  
September 2004  
1/19  

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