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M68AW128M55ND6T

更新时间: 2024-11-08 14:34:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 109K
描述
128KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

M68AW128M55ND6T 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:PLASTIC, TSOP2-44
针数:44Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e3
长度:18.41 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:1 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.015 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

M68AW128M55ND6T 数据手册

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M68AW128M  
M68AW128ML  
2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
Figure 1. Packages  
128K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns  
LOW STANDBY CURRENT  
44  
LOW V DATA RETENTION: 1.0V  
CC  
1
TRI-STATE COMMON I/O  
AUTOMATIC POWER DOWN  
TSOP44 Type II (ND)  
BGA  
TFBGA48 (ZB)  
6 x 8 solder balls  
July 2001  
1/19  

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