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M68AF511AM70MC1T

更新时间: 2024-11-07 22:38:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 131K
描述
4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM

M68AF511AM70MC1T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:PLASTIC, SO-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.87最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:20.445 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP32,.56封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3 mm
最大待机电流:0.000009 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.055 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:11.305 mm
Base Number Matches:1

M68AF511AM70MC1T 数据手册

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M68AF511A  
4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 4.5 to 5.5V  
Figure 1. Packages  
512K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 55ns  
LOW STANDBY CURRENT  
32  
LOW V  
DATA RETENTION: 2V  
CC  
TRI-STATE COMMON I/O  
1
LOW ACTIVE and STANDBY POWER  
TSOP32 Type II (NC)  
SO32 (MC)  
October 2002  
1/18  

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