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M68AF127BM70B6

更新时间: 2024-11-06 22:27:47
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 376K
描述
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM

M68AF127BM70B6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.79最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e3长度:42.035 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.83 mm
最大待机电流:0.0000045 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.015 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

M68AF127BM70B6 数据手册

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M68AF127B  
1Mbit (128K x8), 5V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 4.5 to 5.5V  
Figure 1. Packages  
128K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 55ns  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW V DATA RETENTION: 2V  
CC  
TRI-STATE COMMON I/O  
LOW ACTIVE and STANDBY POWER  
SO32 (MC)  
32  
1
PDIP32 (B)  
TSOP32 (NK)  
8 x 13.4mm  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
September 2004  
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