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M68AF127BM70B1T

更新时间: 2024-11-06 22:27:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
23页 376K
描述
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM

M68AF127BM70B1T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.29
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T32
长度:42.035 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.83 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

M68AF127BM70B1T 数据手册

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M68AF127B  
1Mbit (128K x8), 5V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 4.5 to 5.5V  
Figure 1. Packages  
128K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 55ns  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW V DATA RETENTION: 2V  
CC  
TRI-STATE COMMON I/O  
LOW ACTIVE and STANDBY POWER  
SO32 (MC)  
32  
1
PDIP32 (B)  
TSOP32 (NK)  
8 x 13.4mm  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
September 2004  
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