M68731H

更新时间： 2024-02-11 00:38:13

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三菱 - MITSUBISHI		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器高功率电源
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描述
SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 150-175MHz, 7W, FM PORTABLE RADIO

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M68731H 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLNG,1.0"H.SPACE
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	FLNG,1.0"H.SPACE
电源：	7.2 V	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
技术：	HYBRID	Base Number Matches：	1

M68731H 数据手册

MITSUBISHI RF POWER MODULE

M68731H

SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 150-175MHz, 7W, FM PORTABLE RADIO

Dimensions in mm

OUTLINE DRAWING

BLOCK DIAGRAM

30±0.2

26.6±0.2

21.2±0.2

2-R1.5±0.1

0.45

6±1

PIN:

13.7±1

18.8±1

Pin : RF INPUT

VGG : GATE BIAS SUPPLY

VDD : DRAIN BIAS SUPPLY

PO : RF OUTPUT

23.9±1

GND: FIN

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25°C unless otherwise noted)

Symbol

VDD

Parameter

Conditions

Ratings

Unit

Supply voltage

Gate bias voltage

Input power

VGG£3.5V, ZG=ZL=50W

9.2

VGG

f=150-175MHz, ZG=ZL=50W

Output power

TC (OP)

Operation case temperature

Strage temperature

-30 to +100

-40 to +110

°C

Tstg

Note. Above parameters are guarateed independently.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25°C,ZG=ZL=50Wunless otherwise noted)

Symbol Parameter Test conditions

Limits

Unit

Min

Max

175

Frequency range

Output power

Total efficiency

150

MHz

VDD=7.2V,

VGG=3.5V,

Pin=50W

2nd. harmonic

Input VSWR

2fO

r in

-20

dBc

ZG=50W, VDD=4-9.2V,

Load VSWR<4:1

No parasitic oscillation

Stability

No degradation or

destroy

VDD=9.2V, Pin=50mW,

PO=7W (VGG adjust), ZL=20:1

Load VSWR tolerance

Note. Above parameters, ratings, limits and test conditions are subject to change.

Nov. ´97

12 3

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